mos管怎么測(cè)試好壞

用萬能表檢測(cè)mos管好壞的方法：

將萬用表兩個(gè)表筆分別搭接在其他兩個(gè)極：給B極與任意一個(gè)極接一個(gè)10千歐姆電阻，電阻先不要接上 ，把表筆分別放在兩級(jí)
，電阻這時(shí)再接觸，指針擺動(dòng)越大證明該管拆兆敗子放大系數(shù)就越大 ，也就是說該管子就越好
，反之越差 。

接電阻的那一端為C極；若是紅表筆為P管，黑表筆旅顫為N管
。凡是不符合以上測(cè)量數(shù)據(jù)的三極管都是壞的。

萬用表的相關(guān)要求規(guī)定：

1 、指針表讀取精度較差 ，但指針擺動(dòng)的過程比較直觀，其擺動(dòng)速度幅度有時(shí)也能比較客觀地反映了被測(cè)量的大小（比如測(cè)電視機(jī)數(shù)據(jù)總線(SDL)在傳送數(shù)據(jù)時(shí)的輕微抖動(dòng)）；數(shù)字表讀數(shù)直觀
，但數(shù)字變化的過程看起來很雜亂，不太容易觀猜絕看 。

2
、數(shù)字萬用表的準(zhǔn)確度是測(cè)量結(jié)果中系統(tǒng)誤差與隨機(jī)誤差的綜合
。它表示測(cè)量值與真值的一致程度 ，也反映測(cè)量誤差的大小。一般講準(zhǔn)確度愈高
，測(cè)量誤差就愈小，反之亦然 。

3、指針表內(nèi)一般有兩塊電池 ，一塊低電壓的1.5V,一塊是高電壓的9V或15V,其黑表筆相對(duì)紅表筆來說是正端。數(shù)字表則常用一塊6V或9V的電池
。在電阻檔
，指針表的表筆輸出電流相對(duì)數(shù)字表來說要大很多，用R×1Ω檔可以使揚(yáng)聲器發(fā)出響亮的“噠”聲 ，用R×10kΩ檔甚至可以點(diǎn)亮發(fā)光二極管。

MOS管的好壞如何判斷

用萬用表R×1k檔或R×10k檔
，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩腳之間的正 、反向電阻值 。正常時(shí)，除漏極與源極的正向電阻值較小外 ，其余各引腳之間（G與D
、G與S）的正、反向電阻值均應(yīng)為無窮大
。若測(cè)得某兩極之間的電阻值接昌晌近0Ω
，則說明該管已擊穿損壞。

另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝橋好道場(chǎng)效應(yīng)晶敏迅鉛體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來判斷場(chǎng)應(yīng)管是否損壞 。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后，D 、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?）
，則可確定該管性能良好
。

MOS管用數(shù)字萬用表怎么測(cè)其好壞及引腳？

用數(shù)字萬用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例。

一
、先確定MOS管的引腳：

1、先對(duì)MOS管放電，將三個(gè)腳短路即可；

1 、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極（漏極） 。對(duì)于TO-252
、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管 ，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的
，故我們可用數(shù)字萬用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳，哪個(gè)引腳與散熱片相連 ，哪個(gè)引腳就是D極
。

2、找到D極后
，將萬用表調(diào)至二極管檔；

3 、用黑表筆接觸管子的D極，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳。若接觸到某個(gè)引腳時(shí) ，萬用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降
，那么該引腳即為S極（源極），剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極） 。

二
、MOS管好壞的測(cè)量：

1、當(dāng)把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上
，可以測(cè)出來這個(gè)導(dǎo)通壓降，一般在0.5V左右為正常；

2 、G腳測(cè)量 ，需要先對(duì)G極充下電，把紅表筆放在G極
，黑表筆放在S極；

3
、再次把紅表檔行純筆放在S極上，黑表筆放在D極上 ，可以測(cè)出來這個(gè)放大壓降
，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1、開啟電壓VT

開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過工藝上的改進(jìn) ，可以使MOS管的VT值降到2～3V
。

2 、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示

MOS管的RAH 可以很容易地超過1010Ω。

3.
、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH =0（增強(qiáng)型）的條件下
，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中，其溝道長度較短 ，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)
，使溝道長度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通 ，穿通后
，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引 ，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID 。

4、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^程中
，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VAH ，稱為柵源擊穿電壓BVAH 。

5 、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電行咐壓對(duì)漏極電流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說明帶姿了VDS對(duì)ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū) ，ID幾乎不隨VDS改變
，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下
，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似

·對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7
、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH 和CGD約為1～3pF ，CDS約在0.1～1pF之間

8 、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的
。·由于它的存在
，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示 ，它的單位為分貝（dB）。這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝
，它比雙極性三極管的要小

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