mos管用數(shù)字萬(wàn)用表怎么測(cè)其好壞及引腳？

用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法：以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例。

一 、先確定MOS管的引腳：

1
、先對(duì)MOS管放電，將三個(gè)腳短路即可；

1、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極（漏極） 。對(duì)于TO-252 、TO-220這類(lèi)封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管 ，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的
，故我們可用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳，哪個(gè)引腳與散熱片相連 ，哪個(gè)引腳就是D極
。

2
、找到D極后
，將萬(wàn)用表調(diào)至二極管檔；

3、用黑表筆接觸管子的D極，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳。若接觸到某個(gè)引腳時(shí) ，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降
，那么該引腳即為S極（源極），剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極） 。

二 、MOS管好壞的測(cè)量：

1
、當(dāng)把紅表筆放在S極上 ，黑表筆放在D極上，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)導(dǎo)通壓降
，一般在0.5V左右為正常；

2、G腳測(cè)量，需要先對(duì)G極充下電 ，把紅表筆放在G極
，黑表筆放在S極；

3 、再次把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上 ，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)放大壓降
，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1、開(kāi)啟電壓VT

開(kāi)啟電壓（又稱(chēng)閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；通過(guò)工藝上的改進(jìn) ，可以使MOS管的VT值降到2～3V
。

2
、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過(guò)1010Ω。

3.、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0（增強(qiáng)型）的條件下
，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短 ，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)
，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通 ，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子
，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū) ，產(chǎn)生大的ID 。

4 、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中
，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VAH，稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVAH
。

5
、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導(dǎo)；

gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力
，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū) ，ID幾乎不隨VDS改變
，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下
，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似

·對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7 、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH
、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1～3pF ，CDS約在0.1～1pF之間

8、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的?！び捎谒拇嬖?，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)
，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB） 。這個(gè)數(shù)值越小 ，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝
，它比雙極性三極管的要小

怎么用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的好壞?

以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例，來(lái)詳細(xì)介紹一下具體的測(cè)量方法。

1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞的測(cè)量方法

2.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極
。

測(cè)量5N60C好壞時(shí) ，首先將萬(wàn)用表量程開(kāi)關(guān)調(diào)至二極管檔
，將5N60C的G極懸空，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ，若是好的管子
，萬(wàn)用表顯示為“OL”，即溢出（見(jiàn)上圖）。

3.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極 。

然后調(diào)換紅黑表筆 ，再去測(cè)量D-S兩極
，則萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見(jiàn)上圖）
。

若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞，用二極管檔測(cè)量時(shí) ，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)接近于零。

4.用萬(wàn)用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電 。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí)，紅表筆應(yīng)接管子的G極
，黑表筆接管子的S極
。

在測(cè)量完5N60C的D-S兩極，并且確實(shí)是好的之后 ，然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電。

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(jí)（GΩ讀作吉?dú)W
，1GΩ＝1000MΩ），數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔的開(kāi)路測(cè)量電壓約為2.8～3V ，故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后
，可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小，故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞 。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ，用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω
。

6.用萬(wàn)用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù) 。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣
，只是萬(wàn)用表表筆需要調(diào)換一下極性
。

擴(kuò)展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的 ，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下
，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的
。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET） ，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比 。市面上常有的一般為N溝道和P溝道
，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）
。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流 。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小
。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） 。因?yàn)镸OS管更小更省電
，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管
。

電路中MOS管的好壞該如何判斷？

一.紅左，黑中 、右無(wú)窮大黑左 ，紅中
、右無(wú)窮大紅中
，黑右無(wú)窮大；黑中紅右顯示530（左右）。其實(shí)場(chǎng)效應(yīng)管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G、D 、S，有些管相反：S
、D、G 。我修顯示器 、主板、電源都是從上面的方法測(cè)絕對(duì)沒(méi)問(wèn)題
。你不信隨便拆塊板看一看 ，場(chǎng)效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)。

二．1判別各電極與管型 。用萬(wàn)用表R×100檔
，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正
、反向電阻值。其中一次測(cè)量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆，這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D ，而另一引腳為柵極G
。再用萬(wàn)用表R×10k檔測(cè)量?jī)梢_（漏極D與源極S）之間的正、反向電阻值。正常時(shí)
，正向電阻值為2kΩ左右，反向電阻值大于500kΩ 。在測(cè)量反向電阻值時(shí) ，紅表筆所接引腳不動(dòng)，黑表筆脫離所接引腳后
，先與柵極G觸碰一下，然后再去接原引腳 ，觀察萬(wàn)用表讀數(shù)的變化情況
。若萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)較大阻值變?yōu)?
，則此紅表筆所接的即是源極S，黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效 ，說(shuō)明該管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 。若萬(wàn)用表讀數(shù)仍為較大值
，則黑表筆接回原引腳不變，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳 ，若此時(shí)萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)阻值較大變?yōu)?
，則此時(shí)黑表筆接的為源極S，紅表筆接的是漏極D
。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效 ，說(shuō)明該管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2．判別其好壞 。用萬(wàn)用表R×1k檔或R×10k檔
，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩腳之間的正 、反向電阻值
。正常時(shí)，除漏極與源極的正向電阻值較小外 ，其余各引腳之間（G與D
、G與S）的正、反向電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)得某兩極之間的電阻值接近0Ω，則說(shuō)明該管已擊穿損壞 。另外
，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā)，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來(lái)判斷場(chǎng)應(yīng)管是否損壞
。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后 ，D 、S極之間的正
、反向電阻均變?yōu)?）
，則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái),否則是壞管.3利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時(shí)需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源 。

關(guān)于mos場(chǎng)效應(yīng)管判斷好壞和mos場(chǎng)效應(yīng)管工作原理的介紹到此就結(jié)束了，不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ？如果你還想了解更多這方面的信息 ，記得收藏關(guān)注本站。