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4腳mos管測(cè)好壞_四腳mos管怎么測(cè)試好壞

振邦微科技 2023-03-25 08:33:12 芯片常識(shí) 101 ℃ 3 評(píng)論

怎么用萬(wàn)用表測(cè)量mos管的好壞?

以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例4腳mos管測(cè)好壞 ,來(lái)詳細(xì)介紹一下具體4腳mos管測(cè)好壞的測(cè)量方法。

1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞的測(cè)量方法

2.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極 。

測(cè)量5N60C好壞時(shí),首先將萬(wàn)用表量程開(kāi)關(guān)調(diào)至二極管檔,將5N60C的G極懸空 ,用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極,若是好的管子,萬(wàn)用表顯示為“OL” ,即溢出(見(jiàn)上圖)。

3.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極。

然后調(diào)換紅黑表筆,再去測(cè)量D-S兩極,則萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降(見(jiàn)上圖) 。

若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞 ,用二極管檔測(cè)量時(shí) ,萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)接近于零。

4.用萬(wàn)用表的二極管檔給5N60C柵源兩極(G-S兩極)之間的電容充電。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí),紅表筆應(yīng)接管子的G極,黑表筆接管子的S極 。

在測(cè)量完5N60C的D-S兩極 ,并且確實(shí)是好的之后,然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電。

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(jí)(GΩ讀作吉?dú)W,1GΩ=1000MΩ) ,數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔的開(kāi)路測(cè)量電壓約為2.8~3V,故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后,可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小 ,故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后,用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω 。

6.用萬(wàn)用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω 。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù)。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣,只是萬(wàn)用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴(kuò)展資料:

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,4腳mos管測(cè)好壞他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的 。

場(chǎng)效應(yīng)管(FET) ,把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance,定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,詳情參考右側(cè)圖片(N溝道耗盡型MOS管) 。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體 ,所以FET管的GATE電流非常小 。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管 。

4腳mos管測(cè)好壞_四腳mos管怎么測(cè)試好壞,第1張

請(qǐng)問(wèn)使用萬(wàn)用表如何檢測(cè)MOS管好壞

萬(wàn)用表檢測(cè)MOS管好壞的簡(jiǎn)便方法

1.用黑表筆接在D極上 ,紅表筆接在S極上,一般有一個(gè)500-600的阻值

2.在黑表筆不動(dòng)的前提下,用紅表筆點(diǎn)一下G極 ,然后再用紅表筆測(cè)S極,就會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)通

3.紅表筆接D極,黑表筆點(diǎn)一下G極后再接S極 ,測(cè)得的阻值和1測(cè)的是一樣的則說(shuō)明MOS管工作正常

MOS管如何檢測(cè)其是否燒壞了?謝謝回答

測(cè)試MOS好壞只能用指針式萬(wàn)用表才方便點(diǎn),測(cè)試時(shí)選擇歐姆R×10K檔,這時(shí)電壓可達(dá)10.5V ,紅筆是負(fù)電位 ,黑筆是正電位 。

測(cè)試步驟:

MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電、短路 、斷路、放大。其步驟如下:

1、把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,好的表針指示應(yīng)該是無(wú)窮大。如果有阻值沒(méi)被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象 。

2 、用一只100KΩ-200KΩ的電阻連在柵極和源極上 ,然后把紅筆接到MOS的源極S上,黑筆接到MOS管的漏極上,這時(shí)表針指示的值一般是0 ,這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電,產(chǎn)生柵極電場(chǎng),由于電場(chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通 ,故萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)的角度大,放電性越好。

3、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開(kāi) ,萬(wàn)用表紅黑筆不變,如果移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)窮大,則MOS管漏電 ,不變則完好。

4、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來(lái) ,如果指針立即返回?zé)o窮大,則MOS完好 。

電路中MOS管的好壞該如何判斷?

一.紅左,黑中 、右無(wú)窮大黑左 ,紅中、右無(wú)窮大紅中,黑右無(wú)窮大;黑中紅右顯示530(左右)。其實(shí)場(chǎng)效應(yīng)管三極管很好判斷:有字面朝上從左到右依次為:G、D 、S,有些管相反:S 、D、G。我修顯示器、主板 、電源都是從上面的方法測(cè)絕對(duì)沒(méi)問(wèn)題 。你不信隨便拆塊板看一看 ,場(chǎng)效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)。

二.1判別各電極與管型。用萬(wàn)用表R×100檔,測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值 。其中一次測(cè)量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆,這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D ,而另一引腳為柵極G。再用萬(wàn)用表R×10k檔測(cè)量?jī)梢_(漏極D與源極S)之間的正、反向電阻值。正常時(shí),正向電阻值為2kΩ左右,反向電阻值大于500kΩ 。在測(cè)量反向電阻值時(shí) ,紅表筆所接引腳不動(dòng),黑表筆脫離所接引腳后,先與柵極G觸碰一下 ,然后再去接原引腳 ,觀察萬(wàn)用表讀數(shù)的變化情況 。若萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)較大阻值變?yōu)?,則此紅表筆所接的即是源極S,黑表筆所接為漏極D。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效 ,說(shuō)明該管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。若萬(wàn)用表讀數(shù)仍為較大值,則黑表筆接回原引腳不變,改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳 ,若此時(shí)萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)阻值較大變?yōu)?,則此時(shí)黑表筆接的為源極S,紅表筆接的是漏極D 。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效 ,說(shuō)明該管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

2.判別其好壞。用萬(wàn)用表R×1k檔或R×10k檔,測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩腳之間的正 、反向電阻值 。正常時(shí),除漏極與源極的正向電阻值較小外 ,其余各引腳之間(G與D、G與S)的正、反向電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)得某兩極之間的電阻值接近0Ω,則說(shuō)明該管已擊穿損壞。另外,還可以用觸發(fā)柵極(P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管用紅表筆觸發(fā) ,N溝道場(chǎng)效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā))的方法來(lái)判斷場(chǎng)應(yīng)管是否損壞 。若觸發(fā)有效(觸發(fā)柵極G后 ,D 、S極之間的正、反向電阻均變?yōu)?),則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái),否則是壞管.3利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時(shí)需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源。

電動(dòng)車(chē)控制器MOS管如何檢測(cè)好壞

首先,斷開(kāi)控制器與電源連接,把控制器粗黑線與粗紅線碰接短路 ,這樣做的目的是放完內(nèi)部電容余電 。

然后,把三根粗黃線對(duì)粗黑碰線短接,目的同上。一定要放電后再進(jìn)行測(cè)量。這三根粗黃線實(shí)際上是三根相線 。

做完以上準(zhǔn)備工作后 ,按以下三個(gè)步驟操作,即可判斷控制器好壞 。

第一步:將萬(wàn)用表置于二極管檔測(cè)量,用紅表筆接控制器負(fù)極 ,黑表筆依次測(cè)量控制器主線中的黃、綠 、藍(lán)線,讀數(shù)約在500左右(數(shù)字萬(wàn)用表),三次讀數(shù)應(yīng)基本一致。

第二步:用萬(wàn)用表黑表筆接控制器正極 ,紅表筆依次接控制器主線黃、綠、藍(lán)線,讀數(shù)約在500左右,三次讀數(shù)應(yīng)基本一致

第三步:如果第一 、二步的測(cè)量正常 ,則表示無(wú)刷控制器基本正常 ,把控制器與車(chē)體線路正常連接,接通電源,拔掉制動(dòng)線 ,用萬(wàn)用表電壓檔測(cè)量轉(zhuǎn)把5V電壓是否正常。

若以上測(cè)試正常,表示控制器基本正常,否則可判定控制器損壞 。

擴(kuò)展資料

電動(dòng)車(chē)控制器的作用

1 、驅(qū)動(dòng)電機(jī)旋轉(zhuǎn)。

2、在轉(zhuǎn)把的控制下改變電機(jī)驅(qū)動(dòng)電流 ,從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)速度的調(diào)整。

3、在閘把(剎把)的控制下切斷輸出電流,實(shí)現(xiàn)剎車(chē)控制 。

4 、對(duì)蓄電池電壓進(jìn)行檢測(cè),在蓄電池存儲(chǔ)的電壓接近“放電終止電壓 ”時(shí) ,通過(guò)控制器面板(或儀表顯示盤(pán))來(lái)顯示電量不足;提醒騎行者調(diào)整自己的行程,當(dāng)達(dá)到終止電壓時(shí),通過(guò)取樣電阻將該信號(hào)送到比較器 ,由電路輸出保護(hù)信號(hào),致使、保護(hù)電路按預(yù)先設(shè)定的程序發(fā)出指令,切斷電流以保護(hù)充電器和蓄電池。

5、過(guò)流保護(hù) ,電流過(guò)大時(shí)過(guò)流保護(hù)電路動(dòng)作 ,使電機(jī)停轉(zhuǎn),避免過(guò)流給電機(jī)和控制器帶來(lái)危害。另外,部分控制器還具有防飛車(chē)保護(hù) 、巡行限速等功能 。

MOS管用數(shù)字萬(wàn)用表怎么測(cè)其好壞及引腳?

用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法:以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例。

一、先確定MOS管的引腳:

1、先對(duì)MOS管放電 ,將三個(gè)腳短路即可;

1 、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極(漏極)。對(duì)于TO-252、TO-220這類(lèi)封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管,它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的,故我們可用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳 ,哪個(gè)引腳與散熱片相連,哪個(gè)引腳就是D極 。

2、找到D極后,將萬(wàn)用表調(diào)至二極管檔;

3 、用黑表筆接觸管子的D極 ,用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳。若接觸到某個(gè)引腳時(shí),萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降,那么該引腳即為S極(源極) ,剩下的那個(gè)引腳即為G極(柵極)。

二、MOS管好壞的測(cè)量:

1、當(dāng)把紅表筆放在S極上,黑表筆放在D極上,可以測(cè)出來(lái)這個(gè)導(dǎo)通壓降 ,一般在0.5V左右為正常;

2 、G腳測(cè)量 ,需要先對(duì)G極充下電,把紅表筆放在G極,黑表筆放在S極;

3 、再次把紅表筆放在S極上 ,黑表筆放在D極上,可以測(cè)出來(lái)這個(gè)放大壓降,一般在0.3V左右為正常;

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1、開(kāi)啟電壓VT

開(kāi)啟電壓(又稱(chēng)閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管 ,VT約為3~6V;通過(guò)工藝上的改進(jìn),可以使MOS管的VT值降到2~3V 。

2、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示

MOS管的RAH可以很容易地超過(guò)1010Ω 。

3. 、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH=0(增強(qiáng)型)的條件下,在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面:

(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿;

(2)漏源極間的穿通擊穿;

有些MOS管中 ,其溝道長(zhǎng)度較短,不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū),使溝道長(zhǎng)度為零 ,即產(chǎn)生漏源間的穿通,穿通后,源區(qū)中的多數(shù)載流子 ,將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引 ,到達(dá)漏區(qū),產(chǎn)生大的ID。

4、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中,使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VAH ,稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVAH。

5、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下,漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導(dǎo);

gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6 、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響 ,是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū),ID幾乎不隨VDS改變,RON的數(shù)值很大 ,一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中,MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下,所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似

·對(duì)一般的MOS管而言 ,RON的數(shù)值在幾百歐以?xún)?nèi)

7、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容:柵源電容CAH、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH和CGD約為1~3pF,CDS約在0.1~1pF之間

8 、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的 ?!び捎谒拇嬖?,就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí) ,在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示 ,它的單位為分貝(dB)。這個(gè)數(shù)值越小,代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝,它比雙極性三極管的要小

4腳mos管測(cè)好壞的介紹就聊到這里吧 ,感謝你花時(shí)間閱讀本站內(nèi)容,更多關(guān)于四腳mos管怎么測(cè)試好壞、4腳mos管測(cè)好壞的信息別忘了在本站進(jìn)行查找喔。



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