D4148MOS管是一和薯種N溝道MOS場效應管,其參數(shù)如下:
1. 最大漏極-源極電壓(VDS max):30V
2. 最大柵極-源極電壓(VAH max):20V
3. 最大柵極功率耗散(PD max):250mW
4. 最大漏極電流(ID max):300mA
5. 典型的柵極截止電壓(Vth):-0.8V
6. 典型的漏極電阻(Rds on):7.5Ω
7. 柵春棚純極電容(Cg):33pF
8. 輸出電容(Coss):18pF
這些參數(shù)僅扒咐供參考,實際應用時應根據(jù)具體的電路設計和使用條件進行合理的選擇和調(diào)整。
5N60C是N溝道MOS場培蘆效應管 ,漏極電流為4、5a,脈沖電流允許18A,D-S耐壓600V 。功耗:33W ,工作溫度范圍:-55°C to +150°C,封裝類型:TO-220F,功率 ,Pd:33W,閉激封裝類配態(tài)帶型:TO-220F,常用于開關電源中作開關管。
MOS管嘛也是
場效應管
的一種 ,分結型和絕緣柵型,結型和絕緣柵型又各分為NMOS和PMOS,然后PMOS+NMOS=CMOS。P和N的原理相同 ,只是
電源
極性
相反 。
主要參數(shù)記住
以下
幾點:Idss
:飽和漏源
電流
,是指結型或耗盡型
絕緣柵場效應管
中搭譽穗,
柵極
電壓
UAH =0時的漏源電流Up
:夾斷電壓,是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中,使漏源間剛截止時的柵極電壓.
Ut
:開啟電壓,知卜是指增強型絕緣柵
場效
管中,使漏源間剛
導通
時的柵極電壓
gM
:跨導 ,
此乃衡量場效應管放大能力的重要
參虛賀數(shù)
.
BVDS
:漏源
擊穿電壓
,是指柵源電壓UAH 一定時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓
PDSM:最大
耗散功率
,也是一項
極限參數(shù)
,是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率IDSM
:
最大漏源電流 ,是一項極限參數(shù),是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流
DC/DC轉(zhuǎn)換器是一種
開關型穩(wěn)壓電源
,一般分為四種:
(1)
極性反轉(zhuǎn)式:其特點是
輸出電壓
的極性正好與
輸入電壓
相反。特點是Vo=-VI,二者的絕對值相同。除此之外 ,還有輸出固定負壓 、可調(diào)負壓兩種 。
(2)
升壓式:其特征是VOVI,
變換器
具有提升電源電壓的作用。
(3)
降壓式:利用變換器來降低電源電壓,使VOVI
。
(4)
低壓差
集成穩(wěn)壓器
。這類集成穩(wěn)壓器的輸入-輸出壓差低于0.5~0.6V,甚至在0.1V左右的壓差下已能正常工作 ,能顯示提高
穩(wěn)壓電源
的效率。
1 極限參數(shù):
ID :最大漏源電流.是指場效應管正常工作時,漏源間所允許通過的最大電流.場效應管的工作電流不應超過 ID .此參數(shù)會隨結溫度的上升而有所減額.
IDM :最大脈沖漏源電流.體現(xiàn)一個抗沖擊能力,跟脈沖時間也凳鎮(zhèn)有關系 ,此參數(shù)會隨結溫度的上升而有所減額.
PD :最大耗散功率.是指場效應管性能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率.使用時,場效應管實際功耗應小于 PDSM 并留有一定余量.此參數(shù)一般會隨結溫度的上升而有所減額.(此參數(shù)靠不住)
VAH :最大柵源電壓.,一般為:-20V~+20V
Tj :最大工作結溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ,器件設計的工作條件下須確應避免超過這個溫度 ,并留有一定裕量. (此參數(shù)靠不?。?/p>
TSTG :存儲溫度范圍.
2 靜態(tài)參數(shù)
V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VAH 為 0 時,場效應管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項極限參數(shù),加在場效應管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS . 它棗鋒粗具有正溫度特性.故應以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮. 加負壓更好。
△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數(shù) ,一般為 0.1V/ ℃.
RDS(on) :在特定的 VAH (一般為 10V )、結溫及漏極電基槐流的條件下, MOSFET
導通時漏源間的最大阻抗.它是一個非常重要的參數(shù),決定了 MOSFET 導通時的消耗功率.此參數(shù)一般會隨結溫度的上升而有所增大(正溫度特性).
故應以此參數(shù)在最高工作結溫條件下的值作為損耗及壓降計算.
VAH (th) :開啟電壓(閥值電壓).當外加柵極控制電壓 VAH 超過 VAH (th) 時 ,漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道.應用中,常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓.此參數(shù)一般會隨結溫度的上升而有所降低.
IDSS :飽和漏源電流,柵極電壓 VAH =0 、 VDS 為一定值時的漏源電流.一般在微安級.
IAH S :柵源驅(qū)動電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大 ,IAH S 一般在納安級.
、3 動態(tài)參數(shù)
gfs :跨導.是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比,是柵源電壓對漏極電流控制能力大小的量度. gfs 與 VAH 的轉(zhuǎn)移關系圖如下圖所示.
SI2302是三極管mos場效應管參數(shù)的一種,屬激搭于增強模式場效掘鉛喚應晶體判凱管
主要參數(shù)mos場效應管參數(shù):
晶體管類型 :N溝道MOSFET
最大功耗PD : 1.25W
柵極門限電壓VAH : 2.5V(典型值)
漏源電壓VDS :20V(極限值) 20v
漏極電流ID:2.8A
通態(tài)電阻RDS(on):0.145ohm(典型值)
柵極漏電流IAH S:±100nA
結溫:55℃to+150℃
替代型號:
封裝:
SOT-23(TO-236)
手打不易 ,如有幫助請采納,謝謝mos場效應管參數(shù)!!
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