誰(shuí)能幫我看看電路圖上場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)引腳分別是什么？很簡(jiǎn)單的問(wèn)題 。

場(chǎng)效應(yīng)管與普通三極管功能一樣 ，三個(gè)電極對(duì)應(yīng)為：發(fā)射機(jī)---源極S
，基極--柵極G，集電極--漏極D
。IRF640管腳排列為（管腳朝下 、面對(duì)型號(hào)）左起1腳為G ，2腳為D，3腳為肆液前S。

從門(mén)極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型
，ID飽和 。將這種狀態(tài)稱(chēng)為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷
。

擴(kuò)展資料：

作用：

場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高 ，因此耦合電容可以容量較小
，不必使用電解電容裂清器 。場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換
。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。場(chǎng)效應(yīng)管可埋敗以用作可變電阻 。

mos管至少有四個(gè)引腳 ，四個(gè)引腳分別怎么用？

MOS管只有四個(gè)引腳
，即漏極
、柵極、源極和襯底
。

NMOS和PMOS的接法是不一樣的。

NMOS：漏極→輸出信號(hào) 、柵極→輸入信號(hào)、源極→低電平(或地)
、襯悔穗稿底→低電平(或地) 。

PMOS：漏極→輸出信號(hào)、柵極碧孝→輸入信號(hào) 、源極→高電平(或電源)
、襯底→高電族睜平(或電源)
。

MOS管有用的管腳就是三個(gè)：源極、漏極 、柵極。多余的管腳或者是同名管腳（在內(nèi)部和漏極
、柵極相連，特別是有些大功率管） ，或者是空腳（沒(méi)有內(nèi)部連接
，只起焊接固定作用） 。

我想問(wèn)問(wèn)mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分

判定柵極G：將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔灶禪,用萬(wàn)用表的負(fù)極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極,測(cè)其電阻.若兩次測(cè)得的電阻值近似相等,則負(fù)表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測(cè)出的電阻都很大,則為N溝道；若兩次測(cè)得的阻值都咐辯液很小,則為P溝道
。判定源極S、漏極D：在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正 、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極.用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十衡物幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。

mos管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管 。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體
。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的 ，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下
，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能 。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的
。

更多關(guān)于mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分 ，進(jìn)入：查看更多內(nèi)容

場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）三個(gè)腳怎么區(qū)分？N和P怎么區(qū)分？

場(chǎng)效應(yīng)管

mos管的引腳定義的

柵極

相當(dāng)于

晶體管

的

基極

mos管的引腳定義，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的

發(fā)射極

和

集電極

。將

萬(wàn)用表

置于R×1k檔mos管的引腳定義
，用兩

表筆

分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正
、

反向

電阻

 。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時(shí) ，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換）
，余下的一個(gè)管腳即為柵極G
。

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的

PN結(jié)

正 、反向電阻值不一樣的數(shù)核現(xiàn)象，可以判別出

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

的三個(gè)電極mos管的引腳定義：若兩次測(cè)出的電阻值均很大 ，說(shuō)明是PN結(jié)的反向
，即都是反向電阻，可以判定是N

溝道

場(chǎng)效應(yīng)管 ，且薯迅掘

黑表

筆接的是柵極mos管的引腳定義；若兩次測(cè)出的電阻值均很小
，說(shuō)明是正向PN結(jié)，

即是

正向電阻

 ，判定為P溝道場(chǎng)效昌逗應(yīng)管
，黑表筆接的也是柵極。

MOS管的引腳 ，G 、S、D分別代表什么？

G：gate

柵極；S：source

源極；D：drain

漏極 。N溝道的電源一般握茄接在D，輸出S
，P溝道的電源一般接在S，輸出D
。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。

晶體管有N型channel所有它稱(chēng)為N-channel

MOS管 ，或NMOS 。P-channel

MOS（PMOS）管也段模察存在
，是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管
。

擴(kuò)展資碼顫料

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。

MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的 ，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下
，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的
。

參考資料mos管_搜狗百科

IRF3808這個(gè)mos管
。。

正面缺并伏信看

4 是散伏廳跡熱片

1 - GATE

2 - DRAIN

3 - SOU RC E

4 - DRAIN

根據(jù)客戶(hù)要求的不同 ，我司有針對(duì)mos管的引腳定義產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案
，技術(shù)資料也有所不同，所以不能直接呈現(xiàn) ，有需求的客戶(hù)請(qǐng)與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001
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