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場效應(yīng)管
的
柵極
相當(dāng)于
晶體管
的
基極
,源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的
發(fā)射極
和
集電極
。將
萬用表
置于R×1k檔 ,用兩
表筆
分別測量每兩個(gè)管腳間的正 、
反向
電阻
。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,均為數(shù)KΩ時(shí),則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S(可互換) ,余下的一個(gè)管腳即為柵極G。
根據(jù)場效應(yīng)管的
PN結(jié)
正、反向電阻值不一樣的數(shù)核現(xiàn)象,可以判別出
結(jié)型場效應(yīng)管
的三個(gè)電極:若兩次測出的電阻值均很大,說明是PN結(jié)的反向 ,即都是反向電阻,可以判定是N
溝道
場效應(yīng)管,且薯迅掘
黑表
筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小 ,說明是正向PN結(jié),
即是
正向電阻
,判定為P溝道場效昌逗應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。
MOS管只有四個(gè)引腳,即漏極 、柵極、源極和襯底 。
NMOS和PMOSmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分的接法是不一樣的。
NMOSmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分:漏極→輸出信號、柵極→輸入信號 、源極→低電平(或地)、襯悔穗稿底→低電平(或地)。
PMOSmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分:漏極→輸出信號、柵極碧孝→輸入信號 、源極→高電平(或電源)、襯底→高電族睜平(或電源) 。
MOS管有用的管腳就是三個(gè)mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分:源極、漏極、柵極。多余的管腳或者是同名管腳(在內(nèi)部和漏極 、柵極相連 ,特別是有些大功率管),或者是空腳(沒有內(nèi)部連接,只起焊接固定作用)。
Gmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分:gate
柵極;S:source
源極;D:drain
漏極 。N溝道mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分的電源一般握茄接在Dmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分,輸出Smos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分 ,P溝道的電源一般接在S,輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。
晶體管有N型channel所有它稱為N-channel
MOS管,或NMOS。P-channel
MOS(PMOS)管也段模察存在 ,是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管 。
擴(kuò)展資碼顫料
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能 。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
參考資料mos管_搜狗百科
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