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mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分_mos管3個(gè)引腳哪個(gè)是g d s

振邦微科技 2023-05-12 22:35:08 芯片常識 140 ℃ 3 評論

場效應(yīng)管(MOS)三個(gè)腳怎么區(qū)分?N和P怎么區(qū)分?

場效應(yīng)管

柵極

相當(dāng)于

晶體管

基極

,源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的

發(fā)射極

集電極

。將

萬用表

置于R×1k檔 ,用兩

表筆

分別測量每兩個(gè)管腳間的正 、

反向

電阻

 。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,均為數(shù)KΩ時(shí),則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S(可互換) ,余下的一個(gè)管腳即為柵極G。

根據(jù)場效應(yīng)管的

PN結(jié)

正、反向電阻值不一樣的數(shù)核現(xiàn)象,可以判別出

結(jié)型場效應(yīng)管

的三個(gè)電極:若兩次測出的電阻值均很大,說明是PN結(jié)的反向 ,即都是反向電阻,可以判定是N

溝道

場效應(yīng)管,且薯迅掘

黑表

筆接的是柵極;若兩次測出的電阻值均很小 ,說明是正向PN結(jié) ,

即是

正向電阻

,判定為P溝道場效昌逗應(yīng)管,黑表筆接的也是柵極。

mos管至少有四個(gè)引腳,四個(gè)引腳分別怎么用?

MOS管只有四個(gè)引腳,即漏極 、柵極、源極和襯底 。

NMOS和PMOSmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分的接法是不一樣的。

NMOSmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分:漏極→輸出信號、柵極→輸入信號 、源極→低電平(或地)、襯悔穗稿底→低電平(或地)。

PMOSmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分:漏極→輸出信號、柵極碧孝→輸入信號 、源極→高電平(或電源) 、襯底→高電族睜平(或電源) 。

MOS管有用的管腳就是三個(gè)mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分:源極、漏極、柵極。多余的管腳或者是同名管腳(在內(nèi)部和漏極 、柵極相連 ,特別是有些大功率管),或者是空腳(沒有內(nèi)部連接,只起焊接固定作用)。

mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分_mos管3個(gè)引腳哪個(gè)是g d s,第1張

MOS管的引腳,G 、S、D分別代表什么?

Gmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分:gate

柵極;S:source

源極;D:drain

漏極 。N溝道mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分的電源一般握茄接在Dmos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分,輸出Smos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分 ,P溝道的電源一般接在S,輸出D 。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。

晶體管有N型channel所有它稱為N-channel

MOS管,或NMOS。P-channel

MOS(PMOS)管也段模察存在 ,是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管 。

擴(kuò)展資碼顫料

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管 ,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。

MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能 。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

參考資料mos管_搜狗百科

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