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MOS管一般又叫場(chǎng)效應(yīng)管mos管,與二極管和三極管不衡肢同mos管,二極管只能通過正向電流 ,反向截止,不能控制,三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流 ,MOS管是小電壓控制電流的。
MOS管的輸入電阻極大,兆歐級(jí)的,容易驅(qū)動(dòng) ,但是價(jià)格比三極管要高,一般適用于需要小電壓控制咐差世大電流的情況,電磁爐里一般就是用的20A或者25a的場(chǎng)慶擾效應(yīng)管 。
拓展資料mos管:
MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate ,電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域 。其中一個(gè)稱為source,另一個(gè)稱為drain。假設(shè)source 和backgate都接地,drain接正電壓。
目前主板或顯卡上使用的MOS管并不太多 ,一般有10個(gè)左右 。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因?yàn)镸OS管主要為配件提供穩(wěn)定的電壓,所以一般用在CPU、AGP插槽、內(nèi)存插槽附近。仔清其中,CPU和AGP插槽附近布置了一組MOS管,而內(nèi)存插槽共用一組MOS管 。一般來說 ,MOS管兩個(gè)一組出現(xiàn)在主板上。工作原理雙極晶體管將輸入端的小電流變化放大,然后在輸出端輸出大的電流變化。雙極晶體管的增益定義為輸出電流與輸入電流之比(β) 。另一種晶體管叫FET,把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。它們是電流控制裝置和電壓控制裝置。FET的增益等于其跨導(dǎo))gm ,跨導(dǎo)定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比。FET的名字也來源于它的輸入柵極(稱為gate),它通過在絕緣層(氧化物SIO2)上投射電場(chǎng)來影響流經(jīng)晶體管的電流 。實(shí)際上沒有電念褲前流流過這個(gè)絕緣體(只是電容的作用),所以FET的柵極電流很小(電容的電流損耗)。最常見的FET在柵電極純戚下使用一薄層二氧化硅作為絕緣體。這種晶體管被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管 ,或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 。
開關(guān)管是MOS管和三極管的一種用途,即用于控制電路導(dǎo)通和關(guān)斷。
區(qū)別在于MOS管使用電壓控制開關(guān)狀態(tài)而三極管是用電流控制開關(guān)狀態(tài)。MOS管和三極管也可以不用做開關(guān)管,比如三極管經(jīng)常工作于放大區(qū)用作電流放大器件,這是就不能算開關(guān)管 。
功率管是相對(duì)于信號(hào)管而言的。如果器件是用于控制功率轉(zhuǎn)換的那么就是功率管了 ,如果只是用于傳遞信號(hào)的那就是信號(hào)管了。
功率管和信號(hào)管沒有嚴(yán)格的界限 。同一只MOS管既能當(dāng)信號(hào)管,也能當(dāng)功率管,但是一般功率管的功率轉(zhuǎn)換能力大于信號(hào)管。
擴(kuò)展資料:
mos管是金屬 、氧化物、半導(dǎo)體、場(chǎng)效應(yīng)晶體管升笑鋒 ,或者稱是金屬—絕緣體 、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他升帶們都是在P型backgate中形成的N型區(qū) 。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。
三極管,全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管,也稱雙極型晶體管、晶體三極管 ,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作無觸點(diǎn)開關(guān) 。
功率管是在放大電路中擔(dān)任末級(jí)輸出的管子。
開關(guān)三極管的外形與普通三極管外形相同,它工作于截止區(qū)和飽和區(qū) ,相當(dāng)吵晌于電路的切斷和導(dǎo)通。由于它具有完成斷路和接通的作用,被廣泛應(yīng)用于各種開關(guān)電路中 。
參考資料:百度百科-mos管??? 百度百科-三極管?? 百度百科-功率管? 百度百科-開關(guān)管
MOS管的原理:
它是利用VAH 來控制“扮凳感應(yīng)電荷”的多少 ,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子 ,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道 ,即使在VAH =0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時(shí),溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變 ,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化 。
作用:
1、可應(yīng)用于放大電路。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
2 、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換 。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。
3、可以用作可變電阻。
4、可以方便地用作恒流源 。
5 、可以用作電子開關(guān)。
簡(jiǎn)介:
mos管 ,即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的 。
結(jié)譽(yù)滑構(gòu)特點(diǎn):
MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示;其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子(多慶缺臘子)參與導(dǎo)電 ,是單極型晶體管。導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同,但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別,小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷? ,功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),又稱為VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
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n溝道m(xù)os管? ? ? ? ? ? ? ? ?
p溝道m(xù)os管
其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ,因此具有很高的輸入電阻,該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道 。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí) ,就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。
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