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mos管n溝道和p溝道的應(yīng)用_mos管n溝道和p溝道的區(qū)別圖片

振邦微科技 2023-05-06 11:35:11 芯片常識(shí) 257 ℃ 1 評(píng)論

MOSFET-P和MOSFET-N區(qū)別在那里?謝謝了

MOSFET-P和MOSFET-N的區(qū)別:

1、MOSFET-P是P溝道,MOSFET-N是N溝道;

2、為了能正常工作 ,Nmos管外加的Vds必須是禪猜正值,開(kāi)啟電壓VT也必須是正值,實(shí)際電流方向?yàn)榱魅肼O。

而與NMOS不同 ,PMOS管外加的Vds必須是負(fù)值,開(kāi)啟電壓VT也必須是負(fù)值,實(shí)際電流方向?yàn)榱鞒雎O 。

N溝道和P溝道MOSFET分為增強(qiáng)型和耗盡型。

如圖為增強(qiáng)型N溝道 、P溝道MOSFET。

P MOSFET除了代表襯底的B的箭頭方向外 ,其他部銀襲談分均與NMOS相同 。

N溝道增加型MOSFET管溝道產(chǎn)生的條件為:VAH 大于等于 VT

可變電阻區(qū)與飽和區(qū)的界線為? VDS= VAH -VT。

在可變電阻區(qū)內(nèi):VAH =VT, VDS? = VAH -VT。

在飽和區(qū)內(nèi):?????? VAH =VT,鋒碰?? VDS? = VAH -VT 。

P溝道增加型MOSFET管溝道產(chǎn)生的條件為:VAH 小于等于 VT

可變電阻區(qū)與飽和區(qū)的界線為? VDS= VAH -VT。

在可變電阻區(qū)內(nèi):VAH =VT , VDS = VAH -VT。

在飽和區(qū)內(nèi):?????? VAH =VT, VDS? = VAH -VT 。

mos管n溝道和p溝道的應(yīng)用_mos管n溝道和p溝道的區(qū)別圖片,第1張

MOS管在開(kāi)關(guān)電路中的使用

MOS管也就是常說(shuō)mos管n溝道和p溝道的應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)管(FET),有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(又分為增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)擾指差效應(yīng)管)。

也可以只分成兩類(lèi)P溝道和N溝道 ,這里我們就按照P溝道和N溝道分類(lèi)。

對(duì)MOS管分類(lèi)不mos管n溝道和p溝道的應(yīng)用了解的可以自己上網(wǎng)查一下 。

場(chǎng)效應(yīng)管的作用主要有信號(hào)的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷 ,這里我們講解的是MOS管作為開(kāi)關(guān)管的使用 。

對(duì)于MOS管的選型緩皮,注意4個(gè)參數(shù):漏源電壓(D 、S兩端承受的電壓)、工作電流(經(jīng)過(guò)MOS管的電路)、開(kāi)啟電壓(讓MOS管導(dǎo)通的G 、S電壓)、工作頻率(最大的開(kāi)關(guān)頻率)。

下面我們看一下MOS管的引腳,如下圖所示:

有三個(gè)引腳 ,分別為G(柵極)、S(源極) 、D(漏極)。

在開(kāi)關(guān)電路中,D和S相當(dāng)于需要接通的電路兩端,G為開(kāi)關(guān)控制 。

這里分享一個(gè)自己的分辨P溝道和N溝道的方法 ,我們就看中間的箭頭,把G(柵極)連接的部分當(dāng)做溝道,大家都知道PN結(jié) ,而不是NP結(jié),那么就是P指向N的,所以腦海里想到這樣的情景 P--N ,所以箭頭都是P--N的,那么中間的箭頭指向的就是N,如果指向溝道那就是N溝道 ,如果指向的是S(沒(méi)有指向溝道) ,那就是P溝道。

這個(gè)方法也適用于三極管的判別(NPN、PNP)。

在上圖中我們可以看到右邊都有一個(gè)寄生二極管,起到保護(hù)的作用 。

那么根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦晕覀円材苤涝陔娐愤B接中,D和S應(yīng)該如何連接。使用有寄生二極管的N溝道MOS管的情況下 ,D的電壓要高于S的電壓,否則MOS管無(wú)法正常工作(二極管導(dǎo)通)。

使用有寄生二極管的P溝道MOS管,S的電壓要高于D的電壓 ,原因同上 。

下面是MOS管的導(dǎo)通條件,只要記住電壓方向與中間箭頭方向相反即為導(dǎo)通(當(dāng)然這個(gè)相反電壓需要達(dá)到MOS管的開(kāi)啟電壓)。

比如導(dǎo)通電壓為3V的N溝道MOS管,只要G的電壓比S的電壓高3V即可導(dǎo)通(D的電壓也要比S的高)。

同理 ,導(dǎo)通電壓為3V的P溝道MOS管,只要G的電壓比S的電壓低3V即可導(dǎo)通(S的電壓比D的高) 。

在電路中的典型逗桐應(yīng)用如下圖所示,分別為N溝道與P溝道的MOS管驅(qū)動(dòng)電路:

我們可以看到 ,N溝道的MOS管的電路中,BEEP引腳為高電平即可導(dǎo)通,蜂鳴器發(fā)出聲音 ,低電平關(guān)閉蜂鳴器;

P溝道的MOS管是用來(lái)控制GPS模塊的電源通斷 ,GPS_AH R引腳為低電平時(shí)導(dǎo)通,GPS模塊正常供電,高電平時(shí)GPS模塊斷電。

重點(diǎn)、重點(diǎn) 、重點(diǎn) ,以上兩個(gè)應(yīng)用電路中,N溝道和P溝道MOS管不能互相替代,如下兩個(gè)應(yīng)用電路不能正常工作:

對(duì)于上面兩個(gè)電路如何修改能正常工作mos管n溝道和p溝道的應(yīng)用?

場(chǎng)效應(yīng)管n溝道和p溝道能通用嗎

如果要通用要把畢脊原理搞清楚 ,如果是做開(kāi)關(guān)管用,它就相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān),打開(kāi)方式是控制柵極電壓 ,n MOS需要Vgs大于導(dǎo)通含數(shù)滲電壓時(shí)管子才導(dǎo)通,換成P MOS則相反,需要Vgs小于導(dǎo)通電壓 ,漏源兩極才導(dǎo)通。柵極無(wú)電壓時(shí)n MOS是常開(kāi)的,p MOS是談脊常閉的 。建議最好不要通用,沒(méi)搞好管子肯定燒掉

N溝道增強(qiáng)型MOS管與P溝道增強(qiáng)型MOS管主要區(qū)別是什么?

1.n溝道m(xù)os管與p溝帆鍵道m(xù)os管工作原理相似mos管n溝道和p溝道的應(yīng)用 ,不同之處僅在于它們形成電流mos管n溝道和p溝道的應(yīng)用的載流子性質(zhì)慧轎肆不同mos管n溝道和p溝道的應(yīng)用 ,因此導(dǎo)致加在各極上mos管n溝道和p溝道的應(yīng)用的電壓前轎極性相反 。

應(yīng)用得最多mos管n溝道和p溝道的應(yīng)用的是n溝道增強(qiáng)型mos管

2.n溝道增強(qiáng)型mos管的工作原理:

關(guān)于mos管n溝道和p溝道的應(yīng)用和mos管n溝道和p溝道的區(qū)別圖片的介紹到此就結(jié)束了,不知道你從中找到你需要的信息了嗎 ?如果你還想了解更多這方面的信息,記得收藏關(guān)注本站。


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