mos管用數(shù)字萬(wàn)用表怎么測(cè)其好壞及引腳？

用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量MOS管好壞及引腳的方法四腳mos管怎么測(cè)試好壞：以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例 。

一 、先確定MOS管的引腳：

1、先對(duì)MOS管放電四腳mos管怎么測(cè)試好壞，將三個(gè)腳短路即可四腳mos管怎么測(cè)試好壞；

1
、首先找出場(chǎng)效應(yīng)管的D極（漏極）。對(duì)于TO-252、TO-220這類封裝的帶有散熱片的場(chǎng)效應(yīng)管 ，它們的散熱片在內(nèi)部是與管子的D極相連的，故四腳mos管怎么測(cè)試好壞我們可用數(shù)字萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)量管子的各個(gè)引腳
，哪個(gè)引腳與散熱片相連，哪個(gè)引腳就是D極
。

2 、找到D極后 ，將萬(wàn)用表調(diào)至二極管檔；

3
、用黑表筆接觸管子的D極
，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個(gè)引腳。若接觸到某個(gè)引腳時(shí)，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降 ，那么該引腳即為S極（源極）
，剩下的那個(gè)引腳即為G極（柵極） 。

二、MOS管好壞的測(cè)量：

1 、當(dāng)把紅表筆放在S極上，黑表筆放在D極上 ，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)導(dǎo)通壓降
，一般在0.5V左右為正常；

2
、G腳測(cè)量，需要先對(duì)G極充下電 ，把紅表筆放在G極
，黑表筆放在S極；

3、再次把紅表檔行純筆放在S極上，黑表筆放在D極上 ，可以測(cè)出來(lái)這個(gè)放大壓降，一般在0.3V左右為正常；

擴(kuò)展資料

MOS管的主要參數(shù)

1 、開(kāi)啟電壓VT

開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；

標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管
，VT約為3～6V；通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V
。

2
、直流輸入電阻RAH

即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示

MOS管的RAH 可以很容易地超過(guò)1010Ω。

3.、漏源擊穿電壓BVDS

在VAH =0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS

ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：

（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；

（2）漏源極間的穿通擊穿；

有些MOS管中
，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū) ，使溝道長(zhǎng)度為零
，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后 ，源區(qū)中的多數(shù)載流子
，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū) ，產(chǎn)生大的ID 。

4 、柵源擊穿電壓BVAH

在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中
，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VAH ，稱為柵源擊穿電壓BVAH 
。

5
、低頻跨導(dǎo)gm

在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)；

gm反映四腳mos管怎么測(cè)試好壞了柵源電行咐壓對(duì)漏極電流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)

一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)

6、導(dǎo)通電阻RON

導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明帶姿了VDS對(duì)ID的影響
，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變 ，RON的數(shù)值很大
，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下 ，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似

·對(duì)一般的MOS管而言
，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

7 、極間電容

三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CAH 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS

CAH 和CGD約為1～3pF，CDS約在0.1～1pF之間

8
、低頻噪聲系數(shù)NF

噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的?！び捎谒拇嬖? ，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)
，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化

噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB） 。這個(gè)數(shù)值越小 ，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小

低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝
，它比雙極性三極管的要小

電動(dòng)車控制器MOS管如何檢測(cè)好壞

首先,斷開(kāi)控制器與電源連接，把控制器粗黑線與粗紅線碰接短路 ，這樣做的目的是放完內(nèi)部電容余電
。

然后，把三根粗黃線對(duì)粗黑碰線短接
，目的同上。一定要放電后再進(jìn)行測(cè)量 。這三根粗黃線實(shí)際上是三根相線
。

做完以上準(zhǔn)備工作后，按以下三個(gè)步驟操作 ，即可判斷控制器好壞。

第一步：將萬(wàn)用表置于二極管檔測(cè)量
，用紅表筆接控制器負(fù)極，黑表筆依次測(cè)量控制器主線中的黃、綠 、藍(lán)線 ，讀數(shù)約在500左右（數(shù)字萬(wàn)用表）
，三次讀數(shù)應(yīng)基本一致 。

第二步：用萬(wàn)用表黑表筆接控制器正極，紅表筆依次接控制器主線黃
、綠、藍(lán)線 ，讀數(shù)約在500左右
，三次讀數(shù)應(yīng)基本一致

第三步：如果第一 、二步的測(cè)量正常，則表示無(wú)刷控制器基本正常 ，把控制器與車體線路正常連接此空散
，接通電源，拔掉制動(dòng)線 ，用萬(wàn)用表電壓檔測(cè)量轉(zhuǎn)把5V電壓森氏是否正常。

若以上測(cè)試正常，表示控制器基本正常
，否則可判定控制器損壞
。

擴(kuò)展資料

電動(dòng)車控制器的作用

1
、驅(qū)動(dòng)電機(jī)旋轉(zhuǎn)。

2、在轉(zhuǎn)把的控制下改變電機(jī)驅(qū)動(dòng)電流，從而實(shí)現(xiàn)電機(jī)速度的調(diào)整 。

3 、在閘把（剎把）的控制下切斷輸出電流 ，實(shí)現(xiàn)剎車控制
。

4
、對(duì)蓄電池電壓進(jìn)行檢測(cè)
，在蓄電池存儲(chǔ)的電壓接近“放電終止電壓 ”時(shí)，通過(guò)控制器面板（或儀表顯示盤(pán)）來(lái)顯示電量不足；提醒騎行者調(diào)整自己的行程 ，當(dāng)達(dá)到終止電壓時(shí)
，通過(guò)取樣電虧沒(méi)阻將該信號(hào)送到比較器，由電路輸出保護(hù)信號(hào) ，致使、保護(hù)電路按預(yù)先設(shè)定的程序發(fā)出指令
，切斷電流以保護(hù)充電器和蓄電池。

5 、過(guò)流保護(hù)，電流過(guò)大時(shí)過(guò)流保護(hù)電路動(dòng)作 ，使電機(jī)停轉(zhuǎn)
，避免過(guò)流給電機(jī)和控制器帶來(lái)危害 。另外，部分控制器還具有防飛車保護(hù)
、巡行限速等功能
。

怎么用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的好壞?

以N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管5N60C為例四腳mos管怎么測(cè)試好壞 ，來(lái)詳細(xì)介紹一下具體四腳mos管怎么測(cè)試好壞的測(cè)量方法。

1.N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管好壞四腳mos管怎么測(cè)試好壞的測(cè)量方法

2.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔正向測(cè)量5N60C的D-S兩極 。

測(cè)量5N60C好壞時(shí)，首先將萬(wàn)用表量程開(kāi)關(guān)調(diào)至二極管檔
，將5N60C的G極懸空，用紅黑表筆分別接觸5N60C的D-S兩極 ，若是好的管子
，萬(wàn)用表顯示為“OL”，即溢出（見(jiàn)上圖）
。

3.用數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔反向測(cè)量5N60C的D-S兩極。

然后調(diào)換紅黑表筆 ，再去測(cè)量D-S兩極
，則萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)為一個(gè)硅二極管的正向壓降（見(jiàn)上圖） 。

若MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部D-S兩極之間的寄生二極管擊穿損壞，用二極管檔測(cè)量時(shí) ，萬(wàn)用表顯示的讀數(shù)接近于零
。

4.用萬(wàn)用表的二極管檔給5N60C柵源兩極（G-S兩極）之間的電容充電。對(duì)于N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管充電時(shí)
，紅表筆應(yīng)接管子的G極，黑表筆接管子的S極 。

在測(cè)量完5N60C的D-S兩極 ，并且確實(shí)是好的之后
，然后用二極管檔給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電源春容充電。

由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻在GΩ級(jí)（GΩ讀作吉?dú)W，1GΩ＝1000MΩ） ，數(shù)字萬(wàn)用表二極管檔的開(kāi)路測(cè)量電壓約為2.8～3V，故用二極管檔的測(cè)量電壓給MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵源兩極之間的電容充電后
，可以使MOS場(chǎng)效應(yīng)管D-S兩極之間的電阻變得很小，故用這個(gè)方法可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管G-S兩極之間是否損壞
。

5.5N60C的G-S兩極間的電容充電后 ，用電阻檔實(shí)測(cè)D-S兩極之間的正向電阻為155.4Ω。

6.用萬(wàn)用表電阻檔實(shí)測(cè)5N60C的D-S兩極之間的反向電阻為67.2Ω 。

上面為一個(gè)好的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量數(shù)據(jù)
。對(duì)于P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法與上述測(cè)量一樣
，只是萬(wàn)用表表筆需要調(diào)換一下極性。

擴(kuò)展資料：

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的 ，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)
。在多數(shù)情況下
，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的 。

場(chǎng)效應(yīng)管（FET） ，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化
。FET的增益等于它的transconductance
，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管） 。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管
。

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體 ，所以FET管的簡(jiǎn)裂前GATE電流非常攔清小 。

最普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管
，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）
。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場(chǎng)合取代了雙極型晶體管。

MOS管怎么檢測(cè)踏實(shí)好壞
，怎么判斷真假，求高手指點(diǎn)

用一般指針表R*10K擋不但能測(cè)出好壞還能測(cè)出大致性能但要注意以下幾點(diǎn)

1 ，胡源有些MOS管在D、S 
， G 、S二極間接有反向二極管必需加以區(qū)別如二極正反向均通則必壞無(wú)疑 。故能以該法找出S極

2，如表筆接DS二早做判極并極性對(duì)應(yīng)以手指接觸黑表棒及G極可見(jiàn)管子導(dǎo)通當(dāng)手指離開(kāi)還可維侍導(dǎo)通數(shù)秒(以上抗指N增強(qiáng)型)
。

3 ，如以元珠筆等塑料摩擦頭發(fā)使之帶電靠近G極也有如此反應(yīng)陸改、但切勿接觸有擊穿G極之可能。

MOS管如何檢測(cè)其是否燒壞了？謝謝回答

測(cè)試MOS好壞只能用指針式萬(wàn)用表才方便點(diǎn)
，測(cè)試時(shí)選擇歐姆R×10K檔，這時(shí)電壓可達(dá)10.5V ，毀團(tuán)紅筆是負(fù)電位
，黑筆是正電位 。

測(cè)試步驟：

MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電
、短路、斷路 、放大
。其步驟如下：碼余念

1
、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上 ，好的表針指示應(yīng)該是無(wú)窮大。如果有阻值沒(méi)被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象 。

2、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和源極上
，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上遲困 ，這時(shí)表針指示的值一般是0，這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電
，產(chǎn)生柵極電場(chǎng)，由于電場(chǎng)產(chǎn)生導(dǎo)致導(dǎo)電溝道致使漏極和源極導(dǎo)通 ，故萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)
，偏轉(zhuǎn)的角度大，放電性越好
。

3 、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開(kāi) ，萬(wàn)用表紅黑筆不變
，如果移開(kāi)電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)窮大，則MOS管漏電 ，不變則完好。

4
、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來(lái)
，如果指針立即返回?zé)o窮大，則MOS完好 。

電路中MOS管的好壞該如何判斷？

一.紅左 ，黑中、右無(wú)窮大黑左
，紅中 、右無(wú)窮大紅中，黑右無(wú)窮大；黑中紅右顯示530（左右）
。其實(shí)場(chǎng)效應(yīng)管三極管很好判斷：有字面朝上從左到右依次為：G
、D、S ，有些管相反：S 、D
、G。我修顯示器、主板 、電源都是從上面的方法測(cè)絕對(duì)沒(méi)問(wèn)題 。你不信隨便拆塊板看一看，場(chǎng)效應(yīng)管在電路圖板的布局及應(yīng)VMOS大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)。

二．1判別各電極與管型
。用萬(wàn)用表R×100檔
，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)晶體管任意兩引腳之間的正、反向電阻值。其中一次測(cè)量中兩引腳的電阻值為數(shù)百歐姆，這時(shí)兩表筆所接的引腳為源極S和漏極D ，而另一引腳為柵極G 。再用萬(wàn)用表R×10k檔測(cè)量?jī)梢_（掘薯扒漏極D與源極S）之間的正
、反向電阻值
。正常時(shí)
，正向電阻值為2kΩ左右，反向電阻值大于500kΩ。在測(cè)量反向電阻值時(shí) ，紅表筆所接引腳不動(dòng)
，黑表筆脫離所接引腳后，先與柵極G觸碰一下 ，然后再去接原引腳
，觀察萬(wàn)用表讀數(shù)的變化情況 。若萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)較大阻值變?yōu)?，則此紅表筆所接的即是源極S ，黑表筆所接為漏極D
。用黑表筆觸發(fā)柵極G有效
，說(shuō)明該管為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。若萬(wàn)用表讀數(shù)仍為較大值，則黑表筆接回原引腳不變 ，改用紅表筆去觸碰柵極G后再接回原引腳，若此時(shí)萬(wàn)用表讀數(shù)由原來(lái)阻值較大變?yōu)?
，則此時(shí)黑表筆接的為源極S，紅表筆接的是漏極D 。用表紅筆觸發(fā)柵極G有效 ，說(shuō)明該管為P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
。

2．判別其好壞。用萬(wàn)用表R×1k檔或R×10k檔
，測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管任意兩腳之間的正、反向電阻值 。正常時(shí)，除漏極與源極的正向電阻值較小外 ，其余各引腳之間（G與D 、G與S）的正
、反向電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大
。若測(cè)得某判昌兩極之間的電阻值接近0Ω
，則說(shuō)明該管已擊穿損壞。另外，還可以用觸發(fā)柵極（P溝道場(chǎng)效應(yīng)手逗晶體管用紅表筆觸發(fā) ，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管用黑表筆觸發(fā)）的方法來(lái)判斷場(chǎng)應(yīng)管是否損壞 。若觸發(fā)有效（觸發(fā)柵極G后
，D、S極之間的正 、反向電阻均變?yōu)?），則可確定該管性能良好。用吧三,1用10K檔,內(nèi)有15伏電池.可提供導(dǎo)通電壓.2因?yàn)闁艠O等效于電容,與任何腳不通,不論N管或P管都很容易找出柵極來(lái),否則是壞管.3利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電,可使漏源通或斷,且由于柵極上電荷能保持,上述兩步可分先后,不必同步,方便.但要放電時(shí)需短路管腳或反充.4大都源漏間有反并二極管,應(yīng)注意,及幫助判斷.5大都封莊為字面對(duì)自已時(shí),左柵中漏右源
。

根據(jù)客戶要求的不同 ，我司有針對(duì)四腳mos管怎么測(cè)試好壞產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案
，技術(shù)資料也有所不同，所以不能直接呈現(xiàn) ，有需求的客戶請(qǐng)與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001，謝謝！