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MOS管主要參數(shù)及使用注意事項(xiàng)1.選用合適mos管場效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么的輸入電壓規(guī)格;2.選擇合適的功率。為mos管場效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么了使電源的壽命增長mos管場效應(yīng)管在使用時(shí)要注意什么,建議選用多30%輸出功率額定的機(jī)種。例如若系統(tǒng)需要一個(gè)1...
振邦微科技 2023-04-02 芯片常識 141 ℃ 3 評論 查看詳細(xì)怎樣判斷MOS管是否工作在“開關(guān)狀態(tài)”mos管的放大區(qū)就是飽和區(qū),mos的三種狀態(tài)沒有擊穿區(qū),是截至區(qū),擊穿區(qū)可以定義為第四種狀態(tài)。哪位大神能告告我怎么分析mos管的三個(gè)工作狀態(tài)呢?拜托估計(jì)mos管三種狀態(tài)你沒有好好看過書,這個(gè)問題在模電書上寫得十分清楚...
振邦微科技 2023-03-31 芯片常識 261 ℃ 1 評論 查看詳細(xì)場效應(yīng)晶體管的分類?場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型(MOS)兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式:耗盡型與增強(qiáng)型,結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型,絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的,也有增強(qiáng)型的。場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管,...
振邦微科技 2023-03-30 芯片常識 90 ℃ 3 評論 查看詳細(xì)場效應(yīng)管分為幾種?場效應(yīng)管(FET)是一種電壓掌握電流器件。其特色是輸出電阻高,噪聲系數(shù)低,受溫度和輻射影響小。因此特殊運(yùn)用于高敏銳度、低噪聲電路中。場效應(yīng)管的品種許多,按構(gòu)造可分為兩大類:結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(IGFET).結(jié)型場效...
振邦微科技 2023-03-30 芯片常識 120 ℃ 1 評論 查看詳細(xì)mos管是什么原理?起什么作用?工作原理:MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性,不會發(fā)生像三極管做開關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲效應(yīng),因此在開關(guān)應(yīng)用中,MOS管的開關(guān)速度應(yīng)該比三極管...
振邦微科技 2023-03-28 芯片常識 367 ℃ 3 評論 查看詳細(xì)場效應(yīng)管的特性是什么?1、場效應(yīng)管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);2、場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。3、利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,因此它的溫度穩(wěn)定性較好;4、組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要...
振邦微科技 2023-03-28 芯片常識 128 ℃ 2 評論 查看詳細(xì)MOS管的引腳,G、S、D分別代表什么?G:gate柵極mos管管腳判斷;S:source源極;D:drain漏極。N溝道的電源一般接在Dmos管管腳判斷,輸出S,P溝道的電源一般接在S,輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣。無論N型或者P型MOS管,其工作原...
振邦微科技 2023-03-27 芯片常識 117 ℃ 3 評論 查看詳細(xì)mos場效應(yīng)管p型和n型如何區(qū)分?MOS場效應(yīng)管分J型,增強(qiáng)型,耗盡型。一般來說N溝道是導(dǎo)電溝道是N型半導(dǎo)體,P溝道是P型半導(dǎo)體,然后再區(qū)分柵極壓降是要正開啟還是負(fù)開啟。mos場效應(yīng)管在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有極高的輸入電阻。結(jié)型場效...
振邦微科技 2023-03-26 芯片常識 95 ℃ 3 評論 查看詳細(xì)怎么分辨場管的,GDS?MOS管的G與DS用萬用表打通斷是正反接都不通,這樣可以判斷出G;D與S之間有一個(gè)PN結(jié),市場上多得是N溝道,所以測出有正向二極管特性的那兩只腳中,正表筆接的是S極;為進(jìn)一步測試,可用萬用表的紅筆接G,黑筆接S,然后將紅筆接到D上,...
振邦微科技 2023-03-26 芯片常識 225 ℃ 1 評論 查看詳細(xì)怎么用萬用表測量MOS管的好壞?以N溝道MOS場效應(yīng)管5N60C為例4腳mos管測好壞,來詳細(xì)介紹一下具體4腳mos管測好壞的測量方法。1.N溝道MOS場效應(yīng)管好壞的測量方法2.用數(shù)字萬用表二極管檔正向測量5N60C的D-S兩極。測量5N60C好壞時(shí),首先將...
振邦微科技 2023-03-25 芯片常識 101 ℃ 3 評論 查看詳細(xì)