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mos管三種狀態(tài)_mos管的三個(gè)工作區(qū)域

振邦微科技 2023-03-31 13:33:08 芯片常識(shí) 261 ℃ 1 評(píng)論

怎樣判斷mos管是否工作在“開(kāi)關(guān)狀態(tài)”

mos管的放大區(qū)就是飽和區(qū),mos的三種狀態(tài)沒(méi)有擊穿區(qū) ,是截至區(qū) ,擊穿區(qū)可以定義為第四種狀態(tài) 。

哪位大神能告告我怎么分析mos管的三個(gè)工作狀態(tài)呢?拜托

估計(jì)mos管三種狀態(tài)你沒(méi)有好好看過(guò)書(shū),這個(gè)問(wèn)題在模電書(shū)上寫(xiě)得十分清楚mos管三種狀態(tài)

對(duì)于MOSFET而言 ,

mos管三種狀態(tài)_mos管的三個(gè)工作區(qū)域,第1張

(1) |Ugs|Ugs(th):截止區(qū):

(2)|Ugs|Ugs(th),然后比較|Uds|與Ugs-Ugs(th)mos管三種狀態(tài)的大?。?/p>

如果相等:預(yù)夾斷mos管三種狀態(tài);

如果小于:可變電阻區(qū)mos管三種狀態(tài)

如果大于:恒流區(qū);

下面問(wèn)題簡(jiǎn)單了:

第一個(gè),ugs=6V ,uds=8V ,恒流區(qū)

第二個(gè),ugs=0V,截止區(qū);

第三個(gè) ,ugs=-6V,uds=-1V,可變電阻區(qū);這個(gè)管子是p溝道增強(qiáng)型MOSFET ,其他兩個(gè)都是N-MOSFET

如下圖,NMOS管的工作狀態(tài)是怎樣的?

這是個(gè)自給偏置的電路結(jié)構(gòu)mos管三種狀態(tài) ,所以柵極電壓確定mos管三種狀態(tài)了,那么源極電壓也就確定了mos管三種狀態(tài)

另外BSS169為N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管,在 Ugs=0V ,即具有導(dǎo)通能力,也就是說(shuō),Ug=5V時(shí) ,Us=5V。

proteus里面mos管在哪找

MOS管是一種晶體管 ,可以理解為:一個(gè)受電壓控制的電阻。根據(jù)電壓的大小可以調(diào)節(jié)MOS管的電阻大小,在工作中的MOS管根據(jù)電阻的大小可以分為三種區(qū)域(三種狀態(tài)):

1 、導(dǎo)通區(qū)(電阻幾乎為0,一般就是幾十mΩ ,相當(dāng)于短路);

2、可變電阻區(qū)(類似一個(gè)可調(diào)電阻,阻值大小受電壓控制);

3、截止區(qū)(電阻幾乎無(wú)窮大,相當(dāng)于斷路) 。

應(yīng)用范圍很廣 ,可大體分為幾種狀態(tài):

1 、MOS工作在導(dǎo)通區(qū)或者截止區(qū)的時(shí)候可以當(dāng)開(kāi)關(guān)使用。外加AH M信號(hào)可以用于調(diào)壓,電機(jī)調(diào)速等方面。

2、幾個(gè)MOS管搭配可以起到單向?qū)ǖ淖饔茫愃贫O管單向?qū)ǎ?,比二極管有優(yōu)勢(shì)的地方是壓降小、功耗低 ,導(dǎo)通電流大 。低電壓大電流的情況下優(yōu)勢(shì)更明顯;

3 、工作在可變電阻區(qū)的時(shí)候可以當(dāng)一個(gè)電阻使用,一般集成芯片中的電阻就是使用這種方式的電阻,優(yōu)勢(shì)是生產(chǎn)方便 ,體積小巧 。

4 、工作在可變電阻區(qū)還可以起到放大的作用,與三極管放大電路類似。

mos管三種狀態(tài)_mos管的三個(gè)工作區(qū)域,第2張

MOS管的工作狀態(tài)判斷

一共分四個(gè)區(qū):可變阻區(qū)mos管三種狀態(tài);預(yù)夾斷區(qū)mos管三種狀態(tài);飽和區(qū)mos管三種狀態(tài),恒流區(qū)或放大區(qū);截止區(qū)或全夾斷區(qū)。JFET則分為:可變阻區(qū);飽和區(qū)mos管三種狀態(tài) ,恒流區(qū)或放大區(qū)mos管三種狀態(tài) ,截止區(qū);全夾斷區(qū)

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