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mos管3個(gè)引腳哪個(gè)是gds_mos管有幾個(gè)引腳

振邦微科技 2023-03-26 10:33:08 芯片常識(shí) 225 ℃ 1 評(píng)論

怎么分辨場(chǎng)管的,GDS?

mos管的G與D S用萬(wàn)用表打通斷是正反接都不通,這樣可以判斷出G;D與S之間有一個(gè)PN結(jié) ,市場(chǎng)上多得是N溝道 ,所以測(cè)出有正向二極管特性的那兩只腳中,正表筆接的是S極;為進(jìn)一步測(cè)試,可用萬(wàn)用表的紅筆接G ,黑筆接S,然后將紅筆接到D上,此時(shí)萬(wàn)用表應(yīng)該顯示接近短路。說(shuō)明此時(shí)DS已經(jīng)導(dǎo)通 。P溝道的反之 ,記住萬(wàn)通表為數(shù)字萬(wàn)用表!如果是大功率的管子,通常排列是GDS 。

mos管3個(gè)引腳哪個(gè)是gds_mos管有幾個(gè)引腳,第1張

MOS管的管腳分辨

一般正面對(duì)你,(散熱片為背面)左起為GDS。拿萬(wàn)用表量的話 ,S到D為正向二極管,拿電阻檔量約為500K,二極管檔量為0.4V。另外用電阻檔量AH后 ,(紅表筆接G,黑表筆接S)DS會(huì)通 。即接兩邊兩腳后,中間腳和另一腳會(huì)通

MOS管的引腳 ,G、S、D分別代表什么?

G:gate

柵極;S:source

源極;D:drain

漏極。N溝道的電源一般接在D,輸出S,P溝道的電源一般接在S ,輸出D。增強(qiáng)耗盡接法基本一樣 。

晶體管有N型channel所有它稱為N-channel

MOS管,或NMOS。P-channel

MOS(PMOS)管也存在,是一個(gè)由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。

擴(kuò)展資料

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體 。

MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的 ,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的 。

參考資料mos管_搜狗百科

各種mos管都是GDS的順序嗎?如果不是,都是有什么樣的順序?

各種MOS管 ,都是具有柵極(Gate,簡(jiǎn)稱G) 、漏極(Drain,簡(jiǎn)稱D)、源極(Source ,簡(jiǎn)稱S)三個(gè)電極。其主要的工作原理 ,就是通過(guò)在柵源之間電壓的改變,控制漏源之間的電流變化;這與三極管,用基極電流控制集電極電流(Ic)是不同的。優(yōu)點(diǎn)在于 ,提供電壓控制比電流控制更容易實(shí)現(xiàn) 。由于MOS管都具有三個(gè)電極,因此,它們的順序自然可以任意排列 ,但使用時(shí),一定要注意柵極G不要搞錯(cuò)了,接了錯(cuò)誤的電壓 ,容易到導(dǎo)致柵下氧化層被擊穿,導(dǎo)致器件損壞 。

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