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現(xiàn)在的 合金法 平面 結(jié)構(gòu) 穩(wěn)壓 二極管 已可以大到 3W=50MIL 5W=60MIL 100-380MA
且都是 3.0V - 7.5V 間
內(nèi)電阻小 且為硬特性 不因溫度增加 而影響其電氣特性
可以用LN2351的芯片 ,電流不大就直接升壓,輸出大約有200MA 。需要大電流時外擴(kuò)MOS。
需要注意的是,如果用芯片 ,BL8505三端升壓穩(wěn)壓IC,該IC最低工作電壓僅1.0V。輸出電壓范圍2.5~5.0V,步進(jìn)0.1V 。采用TO92三腳封裝 ,外形與9013三極管完全一樣。
擴(kuò)展資料:
升壓芯片選型:
型號:BT1001
100KHzVFM開關(guān)型DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。低電壓啟動:0.8V啟動,輸入電壓0.8-7V 。輸出電壓范圍:2V~5.6V;固定電壓輸出。輸出電流:300mA。內(nèi)置開關(guān)mos管。封裝:SOT-23-3SOT-89-3TO-92 。
型號:BT1002
200KHzVFM開關(guān)型DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。低電壓啟動:0.9V啟動,輸入電壓0.9-6V。輸出電壓范圍:2V~5.6V;固定電壓輸出 。輸出電流:300mA~750mA。內(nèi)置開關(guān)MOS管。封裝:SOT-23-3SOT-89-3 。
型號:BT1003
180KHzPFM開關(guān)型DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。低電壓啟動:0.8V啟動,輸入電壓0.8-7V。輸出電壓范圍:2V~7V;固定電壓輸出或可調(diào)輸出 。輸出電流:300mA~1000MA。有內(nèi)置或者外置開關(guān)MOS管。封裝:SOT-23-3SOT-89-3SOT-23-5SOT-89-5 。
用兩個電阻分壓如2.7K和3.3K,2.7K一端接+5V,3.3K一端接地,兩個75v轉(zhuǎn)成3.3v1000MA芯片的連接點對地輸出3.3V,如果電壓偏低可加大3.3K或減小2.7K阻值。
也可用300歐電阻串聯(lián)一個0.5W 3.3V穩(wěn)壓二極管得到3.3V電壓。
3.3V的電源芯片很多75v轉(zhuǎn)成3.3v1000MA芯片,
最常用的是AMS1117-3.3V
該芯片采用SOT-23封裝75v轉(zhuǎn)成3.3v1000MA芯片 ,輸出電壓浮動范圍在1%以內(nèi)
其最大可提供800mA的帶負(fù)載能力
完全滿足STM32的主控供電需求。
芯片如下圖所示:
從左往右75v轉(zhuǎn)成3.3v1000MA芯片,引腳分別為:
地、輸出3.3V 、輸入5V
值得注意的是75v轉(zhuǎn)成3.3v1000MA芯片,上面的散熱片引腳并不是地 ,而是跟輸出引腳3.3V連在一起的 。
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